[12p-A202-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [12p-A202-6] 多層電荷蓄積層を有するHf系MONOS型不揮発性メモリの検討

〇(M2)堀内 勇介¹、森田 大貴¹、表 柱栄¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大)

キーワード：Hf系MONOS型不揮発性メモリ、多層電荷蓄積層、ECRプラズマスパッタ

前回我々は、Hf系MONOS型不揮発性メモリのデバイス特性について報告した。今回、Hf系MONOS型不揮発性メモリの電荷蓄積層(CTL)を多層化することによるメモリ特性の向上に関する検討を行ったので報告する。