[12p-A205-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [12p-A205-13] Prediction Scheme for Long-Term Electrical Reliability of Plasma-Damaged SiO₂ Films Based on the Percolation Theory

〇Takashi Hamano¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:plasma-induced damage, dielectric film, TDDB

プラズマプロセス時に固体材料中に形成される欠陥が半導体デバイスの性能・信頼性に大きな影響を与えている．特に絶縁膜の長期信頼性保証は重要な課題である．将来の高性能デバイス設計には，欠陥の空間密度分布，電子状態の同定と同時に，信頼性劣化の定量的予測が不可欠である．本講演では，電気伝導モデルとパーコレーション理論に基づき，詳細な欠陥分布を起点としてシリコン酸化膜の長期信頼性を予測する手法を提案する．