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△ [12p-A205-13] プラズマ誘起欠陥分布を考慮したパーコレーション理論に基づくシリコン酸化膜の長期信頼性予測手法の提案
キーワード：プラズマ誘起欠陥、絶縁膜、TDDB
プラズマプロセス時に固体材料中に形成される欠陥が半導体デバイスの性能・信頼性に大きな影響を与えている．特に絶縁膜の長期信頼性保証は重要な課題である．将来の高性能デバイス設計には，欠陥の空間密度分布，電子状態の同定と同時に，信頼性劣化の定量的予測が不可欠である．本講演では，電気伝導モデルとパーコレーション理論に基づき，詳細な欠陥分布を起点としてシリコン酸化膜の長期信頼性を予測する手法を提案する．