[12p-A205-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[12p-A205-15] Generation and annihilation of plasma-induced defects ~H in-diffusion and defects in c-Si~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Koji Matsubara¹ (1.AIST RCPV)

Keywords:plasma-induced defects, H atom, passivation

半導体プラズマプロセスにおいて、デバイス内の水素起因の欠陥を理解し制御することは、デバイスの高性能化及び信頼性の向上に向け極めて重要である。筆者等は、これまでに、水素(H₂)プラズマ照射下の結晶シリコン(c-Si)の光電流をその場計測し、欠陥の発生と修復に関する以下の知見を報告してきた。(i)イオンやフォトンに加え、水素(H)原子等のラジカル種も欠陥を形成する。(ii) c-Si表面のH原子起因の欠陥は熱アニールにより回復する。(iii)過剰なH原子照射により表面欠陥層(DSL)が形成され、このDSLは熱アニールによる修復は困難である等を示してきた。今回、薄膜成長時の下地c-SiへのH原子起因の欠陥を調査したので報告する。