[12p-A205-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[12p-A205-14] Generation and annihilation of plasma-induced defects ~effects of Ar ion irradiation~

〇Shota Nunomura¹, Kazuya Nakane², Takayoshi Tsutsumi², Koji Matsubara¹, Masaru Hori² (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:plasma-induced defects, ion bombardment, silicon

半導体デバイスの作製に用いるプラズマプロセスにおいて、プラズマからのイオン衝撃によってデバイス内に欠陥が生じることが知られている。これらの欠陥は、デバイスの性能劣化や信頼性低下を招くため、欠陥発生の抑止、もしくは、欠陥の修復が必要不可欠である。これまで、イオン由来の結晶シリコン(c-Si)内の欠陥は数多く報告されているが、薄膜や積層を有する場合の薄膜/c-Si界面の欠陥に関する報告例は少ない。今回、太陽電池用の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)を用いたパッシベーション膜付 c-Siウエハにアルゴン(Ar)イオンを照射し、a-Si:H/ c-Si界面近傍の欠陥の発生と修復を調査したので報告する。