2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[12p-A305-1~13] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2020年3月12日(木) 13:45 〜 17:15 A305 (6-305)

多田 宗弘(NEC)、山口 まりな(キオクシア)

13:45 〜 14:00

[12p-A305-1] 微細ゲートオールアラウンド(GAA)シリコンナノワイヤトランジスタにおける極めて大きなランダムテレグラフノイズ(RTN)の解析

〇(M2)木村 迅利1、水谷 朋子1、竹内 潔1、更屋 拓哉1、小林 正治2,1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.東大d.lab)

キーワード:ナノワイヤ、ゲートオールアラウンド、ランダムテレグラフノイズ

ゲートオールアラウンド(GAA)構造を備えたシリコンナノワイヤトランジスタは次世代のデバイス候補として大きな注目を集めている。一方、トラップによるランダムテレグラフノイズ(RTN)は微細なトランジスタの主要な課題の一つとされている。今回、バルクトランジスタやSOIトランジスタでは見られない微細シリコンGAAナノワイヤトランジスタにおける極めて大きなランダムテレグラフノイズ(RTN)について報告する。