[12p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[12p-A305-3] Detection of a P_b1 center by the charge pumping method

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:single Pb1 centers, charge pumping method, interface traps

これまで我々がCP法を駆使して評価してきたMOS単一界面トラップは，その正体がP_b0センターであるとして矛盾は無い．しかし，P_bセンター（ダングリングボンド）の約2割はP_b1であろうとの予測もありその検出を試みた．単一トラップの2電子準位の位置関係によっては，CP法ではP_b0とP_b1の判別が困難な場合もあるが，今回，多数の単一トラップを測定し，判別可能なP_b1センターの検出に成功したので報告する．