[12p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[12p-A305-6] Measurement of Temperature Distribution inside Silicon Wafer in Millisecond by Optical Interference Contactless Thermometer

〇Tatsuki Koyanagi¹, Asaki Kameda¹, Yuri Mizukawa¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima Univ.)

Keywords:OICT

MOSFET駆動時におけるデバイス内部の温度変化を高分解直接観察することができれば, より正確なデバイスシミュレーションや欠陥検出への応用が可能になると考えられる。赤外レーザーを用いた光学干渉非接触温度測定(Optical Interference Contactless Thermometer)[1]を用いることでシリコンウェハ内部の温度変化測定をするために, 本研究ではシリコンウェハ上の金属薄膜を通電加熱することで, 模擬的に温度測定を試みた.