[12p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12p-A305-6] 光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いたシリコンウェハ内部温度のミリ秒時間分解測定

〇小柳 樹¹、亀田 朝輝¹、水川 友里¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：OICT

MOSFET駆動時におけるデバイス内部の温度変化を高分解直接観察することができれば, より正確なデバイスシミュレーションや欠陥検出への応用が可能になると考えられる。赤外レーザーを用いた光学干渉非接触温度測定(Optical Interference Contactless Thermometer)[1]を用いることでシリコンウェハ内部の温度変化測定をするために, 本研究ではシリコンウェハ上の金属薄膜を通電加熱することで, 模擬的に温度測定を試みた.