[12p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[12p-A305-8] Statistical Analysis of Temperature Dependence of Worst Case Data Retention Voltage in SRAM Using Extreme Value Theory

〇Tomoko Mizutani¹, Kiyoshi Takeuchi¹, Takuya Saraya¹, Masaharu Kobayashi^1,2, Toshiro Hiramoto¹ (1.IIS,Univ. of Tokyo, 2.d.lab,Univ. of Tokyo)

Keywords:SRAM, data retention voltage, extreme value theory

微細SRAMアレイの最低動作電圧は，トランジスタ特性のランダムばらつきによってもたらされる最もバランスの悪いセルで決定される．全セルが同一分布関数に従えば，統計的に外挿することで最悪値の推定は可能だが，全セルの測定は現実的ではない．以前我々は，極値理論を用いて，バルクSRAMの最悪ケースのデータ保持電圧 (DRV) の統計解析を行い，最悪ケースのDRVはGumbel分布に従うことを報告した．本研究ではSOTB SRAMに拡張した．さらに温度依存性を評価し，高温での大容量SRAMの最悪DRVを推定したので報告する．