[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12p-B401-4] RIEによって生成されたn型GaN中の深い準位

〇鐘ヶ江 一孝¹、山田 真嗣^2,3,4、堀田 昌宏^1,3,4、木本 恒暢¹、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.アルバック半電研、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、反応性イオンエッチング、点欠陥

反応性イオンエッチング(RIE)は、デバイス作製に必須なプロセスである。しかし、RIE中に照射される比較的低エネルギーのイオンの衝突によって生成される点欠陥は、エッチング表面極近傍に局在するため、点欠陥の検出と深さ分布の想定は難しい。本研究では、ショットキー障壁ダイオードを用いた過渡容量分光法において、測定バイアス電圧を変えることで、RIEによって生成されたn型GaN中の点欠陥の深さ分布を抽出したので報告する。