The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[12p-B401-1~16] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Mar 12, 2020 1:15 PM - 5:30 PM B401 (2-401)

Masashi Kato(Nagoya Inst. of Tech.)

2:45 PM - 3:00 PM

[12p-B401-7] Thermal-assisted generation of sulfate radicals for contactless photo electrochemical (PEC) etching of n-GaN

〇(M1)Kazuki Miwa1, Hiroki Ogami1, Masachika Toguchi1, Fumimasa Horikiri2, Noboru Fukuhara2, Yoshinobu Narita2, Takehiro Yoshida2, Taketomo Sato1 (1.Hokkaido Univ. RCIQE, 2.SCIOCS Co. Ltd.)

Keywords:Photoelectrochemical, GaN, etching

光電気化学(PEC)エッチングは、低損傷かつ制御性に優れた半導体加工プロセスとして期待されている。更に我々は、強力な酸化剤であるペルオキソ二硫酸カリウム(K2S2O8)を混ぜることにより簡便なコンタクトレス(CL)-PECエッチングに成功した。今回は、加熱を用いた硫酸ラジカルの生成の温度・溶液濃度特性を調査し、GaNエッチングに与える影響について発表する。