[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-8] 界面顕微光応答法によるコンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価

〇松田 陵¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、三島 友義³、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大)

キーワード：GaN、界面顕微光応答法、光電気化学エッチング

選択的にコンタクトレスで光電気化学エッチングしたn形GaN表面をI-V, C-V, Photoresponse(PR)測定, 界面顕微光応答法で評価した結果を報告する。すべての測定においてエッチングによってショットキー障壁高さが低下する傾向がみられた。界面顕微光応答法では光電流がエッチング領域で、エッチングしていない領域に比べて約3倍に増加した。本手法でコンタクトレス光電気化学エッチングによるGaN表面への影響を高感度に検出できることを明らかにした。