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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2020年3月12日(木) 14:00 〜 17:30 D215 (11-215)

海津利行(神戸大)、舘林潤(阪大)、中尾亮(NTT)

14:15 〜 14:30

△ [12p-D215-2] GaAs/Si２段階成長膜のその場X線逆格子マッピング測定

〇川口生倫¹、Wang Yu-Cian¹、小島信晃¹、大下祥雄¹、佐々木拓生² (1.豊田工業大学、2.量研)

キーワード：半導体、GaAs/Si