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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[12p-D411-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年3月12日(木) 13:45 〜 17:30 D411 (11-411)

新宮原正三(関西大)、相川慎也(工学院大)

14:00 〜 14:15

△ [12p-D411-2] 第一原理計算による外部電場下におけるルチル型TiO₂中の酸素空孔挙動解析

〇(M2)井阪健¹、藤平哲也¹、林侑介¹、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：第一原理計算、酸化チタン、メモリスタ