[12p-D411-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12p-D411-3] 金属/Nb:SrTiO₃ ショットキー接合の電流－電圧特性と水素不純物添加効果

〇(B)村上 大晟^1,2、保坂 拓巳^1,2、大澤 健男²、大垣 武²、上田 茂典²、石垣 隆正¹、大橋 直樹² (1.法政大、2.物材機構)

キーワード：抵抗変化デバイス

遷移金属酸化物を利用した抵抗可変メモリーの機構を調べるために、素子への水素不純物添加効果を検証した。AuやPt電極とNb:SrTiO3からなるショットキー接合において、高周波プラズマ処理を実施すると、界面近傍数ナノメートルの電子状態が変化することを軟Ｘ線および硬Ｘ線光電子分光にて観察した。その結果、抵抗スイッチング特性が劇的に変化し、ショットキー障壁や界面状態に水素不純物効果を見出した。