[12p-D419-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12p-D419-10] Crystallization of Ga₂O₃ thin films on MgAl₂O₄ substrate by excimer laser irradiation

〇Takumi Matsushima¹, Hiroyuki Morita¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:Excimer laser irradiation, Ga2O3 thin films, Crystallization

Ga₂O₃は、α ~ εの多形をとるワイドギャップ半導体である。Ga₂O₃のエピタキシャル薄膜の作製には350℃を超える基板温度が必要とされてきた。比較的高温での成膜によるドーパントの偏析や組成ずれ、積層薄膜における反応層生成などの抑制は、より微細なデバイス形成への貢献が期待できる。本研究ではMgAl₂O₄基板に着目し、エキシマレーザーアニーリングを用いた室温でのGa₂O₃薄膜の固相結晶化および結晶相・配向性など構造への影響を検討した。