[12p-D419-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12p-D419-11] PLD growth of Ga₂O₃ based solid-solution films using GaS

〇Kohei Aoyama¹, Takumi Saito¹, Kaisei Kamei¹, Mizuhito Takahashi², Takuto Soma¹, Motohisa Kado³, Akira Ohtomo^1,4 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng., 2.Nippon Rare Metal, 3.Toyota Motor Corporation, 4.MCES)

Keywords:gallium oxide, gallium sulfide, PLD

Ga₂O₃ 系半導体は，デバイス性能とコストの観点から有望なパワー半導体材料として期待されている．我々は，β-Ga₂O₃の p 型伝導実現に向けて窒素ドープを検討してきた．一方で，酸素サイトの窒素は，極めて深い準位を形成しホールキャリアの活性化は困難であると予想されている．そこで本研究では，酸素の一部を硫黄で置換することでホールキャリアを活性化することを目標とし，GaS 固体原料を用いた PLD による薄膜成長に取り組んだ．