[12p-D519-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [12p-D519-4] 低Ge濃度SiGe薄膜におけるEXAFS振動の温度とGe濃度依存性の評価

〇吉岡 和俊¹、横川 凌^1,2、高橋 祐樹¹、小原田 賢聖¹、竹内 悠希¹、小笠原 凱¹、広沢 一郎³、渡辺 剛³、小椋 厚志^1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.JASRI、4.再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：SiGe、EXAFS、アインシュタイン温度