[12p-D519-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12p-D519-5] UVラマン分光法による単結晶Si_1-xSn_xの歪換算係数導出

〇横川 凌^1,2、丹下 龍志³、黒澤 昌志^3,4、小椋 厚志^1,5 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.名大院工、4.名大高等研究院、5.再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：ラマン分光法、SiSn、歪換算係数

SiSn混晶は新たな光学、および熱電発電材料として期待されており、高Sn組成SiSn薄膜を作製するには、基板との格子整合が重要である。またSiSn薄膜の歪量はキャリア移動度に直接影響するため高精度な評価が望まれる。歪量を評価する一つの方法として、我々はラマン分光法に注目しているが、SiSnのラマンシフトと歪量の関係についてこれまで報告例がなく、それゆえに歪換算係数の値が不明瞭である。そこで本研究では単結晶SiSn薄膜を準備し、SiSnの歪換算係数を高精度に導出することに成功したので報告する。