[12p-PA7-1~16] 12.7 Biomedical Engineering and Biochips

[12p-PA7-4] Photosensitivity Improvement of Filter-Free Fluorescence Sensor in Short-Wavelength Region using thin Photogate

〇(M2)Takuya Teshima¹, Yong-Joon Choi¹, Yoshiko Noda¹, Sachiko Kamiya¹, Daisuke Akai¹, Takeshi Hizawa¹, Kazuhiro Takahashi¹, Hiromu Ishii¹, Toshihiko Noda¹, Kazuaki Sawada¹ (1.Toyohashi Univ. of Tech.)

Keywords:filter-free fluorescence sensor, fluorescence, poly Si

本稿では短波長(400 nm以下)の光を弁別できるフィルタフリー蛍光センサの開発について述べる。本センサはフォトゲート構造を持ち、励起光と蛍光を同時に入射することで、それぞれの光強度を算出できる。ゲート電極に使用していたポリシリコンを300 nmから100 nmに薄くすることで、ゲート電極による短波長の光の吸収を抑えることができ、365 nmと405 nmの光の分離能力が約25倍向上した。