[13a-B401-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13a-B401-3] GaN/HfSiO_x界面でSiO₂及びHfO₂初期成長層が電気特性へ及ぼす影響

〇(M1)前田 瑛里香^1,2、生田目 俊秀²、廣瀨 雅史^1,2、井上 万里²、大井 暁彦²、池田 直樹²、塩崎 宏司³、清野 肇¹ (1.芝浦工大、2.物材機構、3.名大)

キーワード：GaNパワーデバイス、GaN/HfSiOx スタック構造、Plasma-Enhanced ALD

GaN/ゲート絶縁膜の界面がデバイス特性へ大きな影響を及ぼすことが知られている。我々はALD法で、GaN基板からHfO初期成長層そしてSiO層の順で成膜したHfO/SiOラミネート膜から熱処理でHfSiO_x膜を作製し、アモルファス構造、小さなV_fbヒステリシス(+50 mV)及び高耐圧(E_bd= 8.7 MV/cm)特性を報告した。しかし、GaN基板へのSiO初期成長層からなるHfSiO_x膜における電気特性についてまったく調べられていなかった。本研究では、n-GaN基板へSiO初期成長層を1及び2モノレイヤー成膜した後にHfSiO_x膜を形成したn-GaN/HfSiO_x/Pt MOSキャパシタを作製して、HfO及びSiO初期成長層が電気特性へ及ぼす影響を調べた。