[13a-B401-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [13a-B401-7] Fabrication of fully vertical GaN Schottky barrier diode on Si

〇(M1C)Kyonosuke Danjo¹, Ryo Mizutani¹, Keiji Yamamoto¹, Takashi Egawa¹ (1.NITech)

Keywords:semiconductor, GaN

パワーエレクトロニクス分野において、更なる発展のために高周波、小型なデバイスが望まれている。そのためには、半導体をパワーデバイスとして浸透させる事が不可欠である。そこで我々の研究室では次世代材料として、ワイドギャップ半導体のGaN（窒化ガリウム）に注目し、低コスト高耐圧を狙えるSi基板上縦型GaNデバイスの研究を進めている。本研究では、Si基板上縦型GaN-SBD（ショットキーバリアダイオード）について報告する。