Mgイオン注入p型GaNの超高圧アニール温度の検討

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13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13a-B401-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2020年3月13日(金) 09:00 〜 11:45 B401 (2-401)

牧山剛三(富士通研)

11:00 〜 11:15

〇(B)晝川十史¹、櫻井秀樹^1,2,3、藤倉序章⁴、堀田昌宏^1,2、Bockowski Michal^2,5、乙木洋平⁴、加地徹²、須田淳^1,2 (1.名大工、2.IMaSS、3.(株)アルバック半電研、4.(株)サイオクス、5.UNIPRESS)

キーワード：窒化ガリウム、Mg イオン注入、超高圧アニール