[13a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-D419-1] スパッタ成膜 Al 添加 ZnO 透明導電多結晶膜の特性に与える残留 Ar 量の影響

〇野本 淳一¹、牧野 久雄²、土屋 哲男¹、山本 哲也² (1.産総研先進コーティング技術研究センター、2.高知工科大総研)

キーワード：透明導電膜、スパッタ、アルゴン

我々はこれまでにマグネトロンスパッタ (MS) で低温成膜されたAl 添加 ZnO (AZO) 透明導電多結晶膜では、膜中に残留したアルゴン (Ar) が残留圧縮応力の増大や電気特性の劣化を引き起こすことを報告している。[[1] J. Nomoto et al., J. Appl. Phys. 124 (2018) 065304. [2] J. Nomoto et al., ACS-Omega 4 (2019) 14526.] 本研究では Ar 残留量をパラメータとして AZO 膜の各種特性に与える影響を検討した。