[13a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-D419-4] 残留 Ar を伴う Al 添加 ZnO 透明導電膜の化学結合状態

〇山本 哲也¹、野本 淳一²、牧野 久雄¹、土屋 哲男² (1.高知工科大総研、2.産総研)

キーワード：酸化亜鉛、アルゴン、化学結合状態

直流マグネトロンスパッタリング法による薄膜成膜時においては反跳アルゴンの膜内残存による成膜緩和後での残留圧縮応力などへの影響がこれまで議論されてきている. 我々は最近 Al 添加 ZnO 透明導電多結晶薄膜において残留 Ar の定量化及び前記応力への影響について実験結果を基に報告した. 一方, 残留 Ar が ZnO 結晶中で格子間を占有すると共に近傍で点欠陥発生はないとの仮定の下, 第１原理バンド構造電子計算法による全エネルギー最小条件構造最適化計算を行った. 結果, 十分な収束が得られた. 本発表では理論計算結果を基に Ar ‐ 第１近接 Zn ‐ 第２近接 O との間で生成される化学結合状態の特徴を議論する.