[13a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-D419-7] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In₂O₃成長層のエッチング特性評価

〇富樫 理恵¹、笠羽 遼¹、大江 優輝¹、長井 研太²、後藤 健²、熊谷 義直²、菊池 昭彦¹ (1.上智大理工、2.東京農工大院)

キーワード：酸化物半導体、エッチング、熱力学解析