[13a-PA3-1~35] 6.3 Oxide electronics

△ [13a-PA3-4] Improvement of ALD deposited Al₂O₃ film quality for application to diamond devices

〇Hiroto Sakuba¹, Mami Fujii¹, Yuma Karaki¹, Mutsunori Uenuma¹, Kiyoshi Takahashi², Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.Nippon Aluminum Alkyls, Ltd)

Keywords:atomic layer deposition, aluminum oxide, diamond

ダイヤモンドは水素終端化した表面がp型伝導性を示すという特長を有しており，これをデバイス応用する場合にはゲート絶縁膜で水素終端面を保護する．一方，ダイヤモンドデバイスのゲート絶縁膜に適した材料としてはAl₂O₃が報告されている．原料ガスにDMAHを用いたALDでAl₂O₃膜を成膜し，膜中の炭素・水素量の評価をおこなった．実験の結果，成膜時の基板温度を高温にすることで炭素量が減少したが，水素量も減少することがわかった．一方で，原料ガスであるDMAHの供給時間を変更することで炭素量を変えずに水素量を制御することができた．ダイヤモンドデバイスを高性能化するために適した絶縁膜を作製できる可能性がある．