The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Poster presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[13a-PA3-1~35] 6.3 Oxide electronics

Fri. Mar 13, 2020 9:30 AM - 11:30 AM PA3 (PA)

9:30 AM - 11:30 AM

[13a-PA3-4] Improvement of ALD deposited Al2O3 film quality for application to diamond devices

Hiroto Sakuba1, Mami Fujii1, Yuma Karaki1, Mutsunori Uenuma1, Kiyoshi Takahashi2, Yasuaki Ishikawa1, Yukiharu Uraoka1 (1.NAIST, 2.Nippon Aluminum Alkyls, Ltd)

Keywords:atomic layer deposition, aluminum oxide, diamond

ダイヤモンドは水素終端化した表面がp型伝導性を示すという特長を有しており,これをデバイス応用する場合にはゲート絶縁膜で水素終端面を保護する.一方,ダイヤモンドデバイスのゲート絶縁膜に適した材料としてはAl2O3が報告されている.原料ガスにDMAHを用いたALDでAl2O3膜を成膜し,膜中の炭素・水素量の評価をおこなった.実験の結果,成膜時の基板温度を高温にすることで炭素量が減少したが,水素量も減少することがわかった.一方で,原料ガスであるDMAHの供給時間を変更することで炭素量を変えずに水素量を制御することができた.ダイヤモンドデバイスを高性能化するために適した絶縁膜を作製できる可能性がある.