[13a-PA3-1~35] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13a-PA3-4] ダイヤモンドデバイス応用に向けたALD-Al₂O₃の膜質改善

〇作場 宥斗¹、藤井 茉美¹、唐木 祐馬¹、上沼 睦典¹、高橋 清²、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.日本アルキルアルミ)

キーワード：原子層堆積、酸化アルミニウム、ダイヤモンド

ダイヤモンドは水素終端化した表面がp型伝導性を示すという特長を有しており，これをデバイス応用する場合にはゲート絶縁膜で水素終端面を保護する．一方，ダイヤモンドデバイスのゲート絶縁膜に適した材料としてはAl₂O₃が報告されている．原料ガスにDMAHを用いたALDでAl₂O₃膜を成膜し，膜中の炭素・水素量の評価をおこなった．実験の結果，成膜時の基板温度を高温にすることで炭素量が減少したが，水素量も減少することがわかった．一方で，原料ガスであるDMAHの供給時間を変更することで炭素量を変えずに水素量を制御することができた．ダイヤモンドデバイスを高性能化するために適した絶縁膜を作製できる可能性がある．