[13a-PA5-1~9] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[13a-PA5-8] CaF₂/Si/CaF₂共鳴トンネル量子井戸構造を用いた抵抗スイッチング特性の理論解析

〇(M1)金子 拓海¹、熊谷 佳郎¹、廣瀬 皓大¹、利根川 啓希¹、三上 萌¹、冨澤 勘太¹、佐藤 穂波¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大)

キーワード：半導体、量子井戸、メモリ

CaF₂/Si/CaF₂共鳴トンネル量子井戸構造を用いた抵抗スイッチングメモリは以前から提案・実証されてきたが、近年の我々の研究結果から井戸層であるi-Siの欠陥準位に電荷がトラップされることで第二障壁層を用いずにメモリ動作が発現する可能性が示唆された。本研究では，素子の動作原理を今回提案するモデルで理論的に解析し，素子の電流電圧特性及びON/OFF比等の見積もりを行った。