[13p-A301-1~7] Frontier of Nonvolatile Memory technologies - Spintronic, Phase-change, Resistive and Ferroelectric-

[13p-A301-7] Write properties of Spin Current Type Magnetic memory with Spin Orbit Torque

〇Yohei Shiokawa¹, Eiji Komua¹, Yugo Ishitani¹, Atsushi Tsumita¹, Keita Suda¹, Yuji Kakinuma¹, Yukio Terasaki¹, Tomoyuki Sasaki¹ (1.TDK)

Keywords:Spin Orbit Torque, MRAM

スピン軌道トルク(SOT: Spin Orbit Torque)を利用したスピン流型磁気メモリは、その高速動作からSRAMを代替する不揮発性メモリの候補として考えられている。我々のこれまでの報告では、無磁場下での磁化反転が可能な面内磁化型のType-Y SOT-MTJを用いた64素子スピン流型磁気メモリアレイを作製し、10¹²回を超える書き込み耐久性を示した。本発表では、Type-Y SOT-MTJアレイの書き込み特性として、Probability、書き込み耐久性(Endurance)、書き込みエラー率(Write Error Rate: WER)の評価を報告する。