The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-A302-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Mar 13, 2020 1:30 PM - 4:15 PM A302 (6-302)

Motoaki Iwaya(Meijo Univ.), Toshiki Hikosaka(Toshiba Corp.)

1:30 PM - 1:45 PM

[13p-A302-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] First-Principles Electronic Structure Analysis in GaN with Screw Dislocation and Mg Impurity Complex

Takashi Nakano1, Yosuke Harashima2, Kenta Chokawa2, Masaaki Araidai2,1, Kenji Shiraishi2,1, Atsushi Oshiyama2, Akira Kusaba3, Yoshihiro Kangawa4,2, Atsushi Tanaka2, Yoshio Honda2,1, Hiroshi Amano2,1 (1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.Computer Centre, Gakushuin Univ., 4.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, dislocation, Electronic structure

GaNを用いた次世代のパワーデバイスの実現に向け、逆方向リーク電流の発生が大きな課題となっている。我々は第一原理計算を用いることで、リーク電流への寄与が疑われるMg不純物とらせん転位との複合体における電子構造を解析した。その結果、Mg不純物はらせん転位の近傍に凝集し、Mgとらせん転位との複合体が形成されること、Mgとらせん転位との複合体はn型の振る舞いをすることが示され、リーク電流の原因になることが導かれた。