[13p-A302-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-A302-2] GaNにおけるらせん転位とMgおよびH不純物の複合体の電子構造解析

〇井上 尚輝¹、中野 崇志²、原嶋 庸介³、洗平 昌晃^3,2、白石 賢二^3,2、押山 淳³ (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、転位

GaNパワーデバイスの実用化には、リーク電流の抑制が重要課題である。本研究では、リーク電流の要因として指摘されているらせん転位とMgおよびH不純物の複合体の電子構造を第一原理計算を用いて解析した。その結果、らせん転位とMgおよびH不純物の複合体が形成されることがわかった。さらに、その複合体はらせん転位とMg不純物のみの複合体が示すn型の傾向を緩和させリーク電流の発生を抑制する可能性がわかった。