[13p-A302-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [13p-A302-6] Categorization and structure analysis of pits generated during GaN growth on Si substrates

〇Kazuya Okamoto¹, Takumi Soga², Momoko Deura¹, Takashi Yoda^3,5, Hideshi Takahashi³, Yasushi Iyechika³, Kiyotaka Miyano³, Masayuki Tsukui³, Takeshi Momose¹, Masakazu Sugiyama⁴, Yukihiro Shimogaki¹ (1.School Eng., Univ. Tokyo, 2.Faculty Eng., Univ. Tokyo, 3.Nuflare Technology, 4.RCAST, Univ. Tokyo, 5.FIRST, Tokyo Tech.)

Keywords:GaN, Si substrate, pit

Si基板上のGaN成長において表面に生じるピットは，リーク電流の原因となるため抑制が求められる．ピットはGaN表面での方位や形状から2種類に大別されることが分かった．それぞれのピットをFIB加工により詳細に断面観察したところ，生成機構は両者でほぼ同様であった．一方，ピット側面の角度や，成長にともなうサイズ変化には違いが見られたことから，発達機構が異なると考えられる．