[13p-A302-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-A302-8] Fabrication of piezoelectric GaN cantilever using carbon doped GaN semi-insulating layer

〇Takehiro Yamada¹, Yuto Ando¹, Hirotaka Watanabe², Yuta Furusawa², Manato Deki², Atushi Tanaka^2,3, Shugo Nitta², Yoshio Honda², Jun Suda^1,2, Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ, 2.IMaSS, 3.NIMS, 4.ARC, 5.VBL)

Keywords:PEC etching, cantilever

PEC(Photo-Electro-Chemical)エッチングを用いることで、GaN基板上に成長させたInGaNを選択的にエッチングし、GaN単結晶カンチレバーの作製に成功した。また、低消費電力動作のため炭素ドープ半絶縁性GaNを用い、共振特性の測定を行ったので報告する。