[13p-A302-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A302-8] GaN:C 半絶縁層を用いた圧電駆動GaNカンチレバーの作製

〇山田 剛大¹、安藤 悠人¹、渡邉 浩崇²、古澤 優太²、出来 真斗²、田中 敦之^2,3、新田 州吾²、本田 善央²、須田 淳^1,2、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.物質・材料研究機構、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：PEC エッチング、カンチレバー

PEC(Photo-Electro-Chemical)エッチングを用いることで、GaN基板上に成長させたInGaNを選択的にエッチングし、GaN単結晶カンチレバーの作製に成功した。また、低消費電力動作のため炭素ドープ半絶縁性GaNを用い、共振特性の測定を行ったので報告する。