[13p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13p-A305-10] Tensile strain GOI nMOSFET on GOI substrates fabricated by Ge condensation

Kwangwon Jo¹, Cheol-Min Lim¹, Kasidit Toprasertpong¹, Mitsuru Takenaka¹, 〇Schin-ichi Takagi¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:semiconductor

酸化濃縮によるGOI基板は高圧縮ひずみを持つことから、pMOSFETの性能向上に役立つが、同基板でCMOSを実現するためには、圧縮ひずみを引張りひずみに変換することが必要である。本研究では、濃縮後に比較的低温の追加酸化を行うことにより、結晶欠陥を生成させることなく、引張りひずみを導入することに成功し、nMOSFETの電子移動度を向上できることを見出した。このひずみとGOI薄膜化により、2.5 nmの膜厚のnMOSFETにおいて、777 cm²/Vsの電子移動度を実現した。