[13p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13p-A305-9] Compressive strain (110) SiGe-OI pMOSFET fabricated by Ge condensation

Kwangwon Jo¹, Kasidit Toprasertpong¹, Mitsuru Takenaka¹, 〇Schin-ichi Takagi¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:semiconductor

SiGe/Ge-On-Insulator pMOSFETは、高い正孔移動度をもつことから、将来の技術ノードのロジックCMOSのための素子として期待されている。本研究では、(110)SOI上のSiGe層に対して、改良された濃縮プロセスを適用してSGOI層を形成し、この基板上のpMOSFETの特性を評価すると共に、SGOI層の薄膜化を行い、移動度のSGOI膜厚依存性を調べた。結果として、酸化濃縮による(110)面Si_0.46Ge_0.54 -OI pMOSFETは、圧縮ひずみとの組み合わせにより極めて高い正孔移動度を実現できることが分かった。