[13p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [13p-A305-12] Geチャネル平坦化プロセスにおけるGe nMOSFETsの面方位依存性

〇石井 寛仁^1,2、張 文馨¹、入沢 寿史¹、水林 亘¹、石井 裕之¹、前田 辰郎^1,2 (1.産総研、2.東理大)

キーワード：ゲルマニウム、面方位、MOSFETs

近年、Ge MOSFETsはnanowire/nanosheet構造などチャネルの三次元化が進行しており、このような3次元チャネル構造は、多様な面方位で構成されることから、面方位を考慮した3次元チャネル構造の設計が求められる。本研究では、面方位が異なるGe基板に10回以上のデジタルエッチング(DDE)を行うという表面平坦化プロセスを施したゲートスタック構造を作製し、平坦化によるデバイス性能の面方位依存性をGe nMOSFETsにて検証したので報告する。