The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

Fri. Mar 13, 2020 1:45 PM - 5:45 PM A305 (6-305)

Osamu Nakatsuka(Nagoya Univ.), Kazuhiko Endo(AIST)

3:45 PM - 4:00 PM

[13p-A305-6] [Young Scientist Presentation Award Speech] Improvement of the quality of InAs-On-Insulator substrates and evaluation of the interface properties

Kei Sumita1, Kimihiko Kato1, Jun Takeyasu1, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1 (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:Smart Cut, InAs-On-Insulator, MOSFET

InAs-OI nMOSFETは低温プロセスによる形成が可能である為、3次元集積CMOS構造等への応用が有望である。しかしながら、Smart Cut法により作製されたInAs-OIを電子デバイスに応用する為には、イオン注入に伴う結晶性の劣化や、貼り合わせ界面特性の改善が課題として残されていた。本研究では、InAs-OI基板の電気特性を界面とバルク特性に分離して定量的な評価を行い、結晶性が熱処理によって著しく向上すること、結果として実現したMOSFET動作について報告する。