[13p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13p-A305-7] Measurement of contact resistivity between InAs/Ni-InAs by Multi-Sidewall TLM

〇Kei Sumita¹, Jun Takeyasu¹, Kimihiko Kato¹, Kasidit Toprasertpong¹, Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:InAs, TLM, Contact resistivity

メタルS/Dを有するInAs nMOSFETは低温での素子作製が可能であり、金属への低いショットキー障壁を持つことから、将来の3次元集積CMOSへの応用が有望である。しかしながら、代表的な合金であるNi-InAsとInAs間の接触抵抗率を定量的に評価した例は報告されていなく、これはInAs/Ni-InAs系に適したテスト構造が無いことに起因する。そこで本研究ではInAs/Ni-InAs系での接触抵抗率評価を可能とするテスト構造として、Multi-Sidewall TLMを提案し、抵抗評価を実証したので報告する。