[13p-D221-1~14] 6.4 Thin films and New materials

△ [13p-D221-8] Epitaxial growth of ScN thin films using pulsed-laser deposition

〇Daichi Sato¹, Ryo Yokoyama¹, Takuto Soma¹, Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech, 2.MCES)

Keywords:thin film, nitride, semiconductor

Ⅲ族窒化物である ScN は，新たな半導体材料として注目されている ． ScN のバンドギャップ（Eg）は 2 eV 前後であり，室温における移動度が 300 cm² V⁻¹ s⁻¹の薄膜が得られている．しかしながら，良質な結晶を得る成長法は HVPE や MBEなどに限られ，パスレーザ堆積（PLD）法による薄膜成長の報告例はない．我々は PLD 法を用いた ScN 薄膜のエピタキシャル成長に成功したので報告する．