[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-14] β-Ga₂O₃エピタキシャル層の低ドナー濃度化によるMOSキャパシタの高耐圧化

〇脇本 大樹¹、佐々木 公平¹、宮本 広信¹、ティユ クァントゥ¹、倉又 朗人¹、山腰 茂伸¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム、MOSキャパシタ、ハライド気相成長法

我々は10 kV級の耐圧で低オン抵抗の縦型トレンチMOSトランジスタを実現するためにドリフト層の低濃度、厚膜化の検討を進めている。今回、基礎実験として、トレンチ底面を模したプレーナMOS構造に関して耐圧のドリフト層ドナー濃度依存性を調べ、低ドナー濃度化により期待通りの耐圧向上効果が観測されたので報告する。