[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-15] β-Ga₂O₃ノーマリーオフMOSFETの高温動作特性

〇内田 悠貴¹、加瀬 正史¹、青木 和夫¹、山腰 茂伸¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.NCT)

キーワード：β-Ga2O3、MOSFET、ノーマリーオフ

β型酸化ガリウムはバンドギャップが4.5eVと高く、高温環境下でもデバイス動作可能な材料であることが期待されている。近い将来シリコン半導体では動作できないとされる高温250℃以上における半導体化が望まれている。今回我々はβ型酸化ガリウムを用いて高温動作可能なノーマリーオフタイプのMOSFETを開発したので報告する。