[13p-D419-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-D419-5] Epitaxial growth of ε-Ga₂O₃ thin films on rh-ITO by mist chemical vapor deposition and electrical characterization

〇(M1)Yusuke Ito¹, Yuki Fujiwara¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Daisuke Tahara¹, Kazuki Shimazoe¹, Yuta Arata¹, Minoru Noda¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:Gallium Oxide, mist chemical vapor deposition, electrical characterization

酸化ガリウム(Ga2O3, Eg = 約5 eV)は超ワイドバンドギャップ半導体として知られており、5つの結晶構造(α, β, γ, δ, ε)を持つ結晶多形である。本研究グループでは、直方晶構造を有する準安定相ε-Ga2O3に注目しており、理論計算から予測されている大きな自発分極や実験によって明らかにされている強誘電体特性を生かした独自のパワーデバイスへの応用に向けた検討を進めている。本発表では、コランダム構造の酸化インジウムスズ(rh-ITO)をε-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長用層および下地電極とする新しい積層構造を提案し、ε-Ga2O3の結晶学的特性及び電気的特性を評価した。