The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-D419-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Mar 13, 2020 1:45 PM - 6:15 PM D419 (11-419)

Takashi Yasuda(Ishinomaki Senshu Univ.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

3:15 PM - 3:30 PM

[13p-D419-6] Structural analysis of α-Ga2O3 surface grown on R-plane sapphire by mist chemical vapor deposition

〇Osamu Kubo1, Daiki Tamba1, Shun Osaka1, Masaya Oda2, Hiroshi Tabata1, Mitsuhiro Katayama1 (1.Osaka Univ., 2.FLOSFIA)

Keywords:Gallium Oxide, Ion scattering spectroscopy, surface termination

我々は以前、C面サファイア上にミストCVD成長させたα-Ga2O3(0001)薄膜の表面構造がGa-O-Gaで終端されていることを同軸型直接衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を用いて見出した。最近、R面サファイア（(1-102)）面上にも高品質なα-Ga2O3薄膜が成長することを見出したので、その表面構造を解析した結果を報告する。