[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-6] R面サファイア上にミストCVDで作製したα-Ga₂O₃薄膜の表面構造解析

〇久保 理¹、丹波 大樹¹、尾坂 駿¹、織田 真也²、田畑 博史¹、片山 光浩¹ (1.大阪大学、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム、イオン散乱分光、表面終端

我々は以前、C面サファイア上にミストCVD成長させたα-Ga2O3(0001)薄膜の表面構造がGa-O-Gaで終端されていることを同軸型直接衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を用いて見出した。最近、R面サファイア（(1-102)）面上にも高品質なα-Ga2O3薄膜が成長することを見出したので、その表面構造を解析した結果を報告する。