Epitaxial growth of bismuth oxyhalides thin films with mist CVD at atmospheric pressure

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月13日(金) 13:45 〜 18:15 D419 (11-419)

安田隆(石巻専修大)、池之上卓己(京大)

15:30 〜 15:45

〇(DC)Zaichun Sun¹、Daichi Oka¹、Tomoteru Fukumura^1,2 (1.Dept. Chem., Tohoku Univ.、2.AIMR and Core Research Cluster, Tohoku Univ.)

キーワード：Mist CVD, Bismuth Oxyhalides, Epitaxial thin film