[13p-D419-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-D419-8] Photocurrent Spectra of N-ion-implanted β-Ga₂O₃ Crystals

〇(B)Masahiko Nakanishi¹, Man Hoi Wong², Tomohiro Yamaguchi¹, Tohru Honda¹, Masataka Higashiwaki², Takeyoshi Onuma¹ (1.Kogakuin Univ., 2.NICT)

Keywords:Gallium oxide, Photocurrent, Ion implantation

窒素イオン注入した酸化ガリウムの光電流スペクトルの測定をバイアスを印加しながら行った。得られたスペクトルに対して、バンドギャップ以下(2.0～4.5eV)と以上(4.5～5.5eV)の範囲で強度積分を行い、アニール温度に対してプロットを行った。得られた結果から、窒素イオン注入が補償アクセプタの形成と、新たな非輻射性再結合中心の形成を誘起し、残留キャリアと光励起キャリアに影響を及ぼすことを確認した。